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解決済みの質問

LDOの入力電圧の上限に対する質問です

LDOにおいて入力電圧の上限として電圧が設定されていますが、それは損失の観点から設定されているのでしょうか?
もしくは周波数特性における安定性によって決められているのでしょうか?
理論なども教えていただけると助かります。
よろしくお願いします。

投稿日時 - 2011-09-21 18:04:12

QNo.7025683

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質問者が選んだベストアンサー

半導体に加える電圧を上昇させていくと有る電圧を超えたところで急激に電流が増加して半導体が壊れます。
このような現象はアバランシェ・ブレークダウンと呼ばれ、空気中の放電やネオン管での放電、絶縁体の絶縁破壊などと同じ現象です。
http://ja.wikipedia.org/wiki/%E3%82%A2%E3%83%B4%E3%82%A1%E3%83%A9%E3%83%B3%E3%82%B7%E3%82%A7%E3%83%BB%E3%83%96%E3%83%AC%E3%83%BC%E3%82%AF%E3%83%80%E3%82%A6%E3%83%B3

半導体では温度が上昇すると電流が流れやすくなります。
消費電力が大きくなると温度上昇により破壊する事も有ります。

半導体の最高電圧は前記のブレークダウンと発熱を元に決められます。
LDOの場合は主にブレークダウン電圧で決められます。
LDOなどのレギュレータICでは過電圧保護回路が組み込まれている場合が有ります。
その場合はその保護回路が働く電圧が上限電圧となります。

投稿日時 - 2011-09-22 05:51:53

お礼

詳細な説明ありがとうございました。

投稿日時 - 2011-09-22 10:26:03

ANo.2

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回答(2)

ANo.1

入力電圧が高くなると、ドロップ電圧が高くなり損失が大きくなります。その結果、破損します。
その限界を設定しています。耐圧も超えれば破損しますね。

投稿日時 - 2011-09-21 19:35:19

お礼

迅速な回答ありがとうございました。

投稿日時 - 2011-09-22 10:24:53

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